Instituto de Ciência, Engenharia e Tecnologia
Permanent URI for this communityhttps://repositorio.ufvjm.edu.br/communities/782c4516-48f9-40ea-b880-a5465c7bd1dd
ICET - Instituto de Ciência, Engenharia e Tecnologia
Browse
Search Results
Item A hole inversion layer at the BiVO4/Bi4V2O11 interface produces a high tunable photovoltage for water splitting(2016-08-09) Santos, Wayler S. dos [UFVJM]; Rodriguez, Mariandry [UFVJM]; Afonso, André S. [UFVJM]; Mesquita, João P. [UFVJM]; Nascimento, Lucas L.; Patrocínio, Antônio O. T.; Silva, Adilson C.; Oliveira, Luiz C. A.; Fabris, José D. [UFVJM]; Pereira, Márcio C. [UFVJM]; Universidade Federal dos Vales do Jequitinhonha e Mucuri; Universidade Federal de Uberlândia; Universidade Federal de Ouro Preto; Universidade Federal de Minas GeraisThe conversion of solar energy into hydrogen fuel by splitting water into photoelectrochemical cells (PEC) is an appealing strategy to store energy and minimize the extensive use of fossil fuels. The key requirement for efficient water splitting is producing a large band bending (photovoltage) at the semiconductor to improve the separation of the photogenerated charge carriers. Therefore, an attractive method consists in creating internal electrical fields inside the PEC to render more favorable band bending for water splitting. Coupling ferroelectric materials exhibiting spontaneous polarization with visible light photoactive semiconductors can be a likely approach to getting higher photovoltage outputs. The spontaneous electric polarization tends to promote the desirable separation of photogenerated electron- hole pairs and can produce photovoltages higher than that obtained from a conventional p-n heterojunction. Herein, we demonstrate that a hole inversion layer induced by a ferroelectric Bi4V2O11 perovskite at the n-type BiVO4 interface creates a virtual p-n junction with high photovoltage, which is suitable for water splitting. The photovoltage output can be boosted by changing the polarization by doping the ferroelectric material with tungsten in order to produce the relatively large photovoltage of 1.39 V, decreasing the surface recombination and enhancing the photocurrent as much as 180%.Item Simulação numérica do uso de materiais compósitos em dormentes ferroviários.(ABMEC, 2016) Figueirêdo, Pedro Ramalho [UFVJM]; Martuscelli, Carolina Coelho [UFVJM]; Castañon, Ugo Nogueira [UFVJM]; Associação Brasileira de Métodos Computacionais em Engenharia (ABMEC); Universidade Federal dos Vales do Jequitinhonha e Mucuri (UFVJM)Materiais compósitos com adição de resíduos vem sendo estudados e cada vez mais empregados em componentes estruturais da construção civil, tais como dormentes de linhas férreas. Estes compósitos apresentam como vantagem o reaproveitamento de materiais antes descartados e o baixo custo. Neste trabalho foi realizado uma simulação do uso de um material compósito cerâmico-polimérico em dormentes ferroviários através do método dos elementos finitos, por meio do software Ansys Workbench (versão 14.0). O material utilizado foi um compósito constituído de 50% de cimento e 50% de resina epóxi, com adição de 10% em massa de resíduo de borracha de pneu, uma vez que este material compósito apresentou maior ductilidade, maior resistência à compressão, maior resistência à flexão e menor densidade quando comparado com o concreto tradicional. Para a análise foi utilizada a geometria de dormentes monoblocos de concreto protendido utilizado no Brasil, os dados adotados para o carregamento referem-se a uma ferrovia usada pela MRS Logística. Os resultados das simulações, utilizando o critério de falha de Von Mises, demonstram que o material consegue suportar os esforços produzidos pelas cargas dinâmicas aplicadas sobre a linha férrea. Este tipo de estudo pode ser utilizado para determinar a viabilidade e otimização de estudos experimentais para o uso de novos materiais em estruturas, neste concluímos que o material estudado apresenta-se como alternativa ao concreto protendido atualmente utilizado para a produção de dormentes.